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IS21ES04G-JCLI

IS21ES04G-JCLI

Solo per riferimento

Numero parte IS21ES04G-JCLI
PNEDA Part # IS21ES04G-JCLI
Descrizione IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Prezzo unitario
1 ---------- $200,7722
50 ---------- $191,3610
100 ---------- $181,9498
200 ---------- $172,5386
400 ---------- $164,6960
500 ---------- $156,8533
Disponibile 42
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 10 - apr 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IS21ES04G-JCLI Risorse

Brand ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIS21ES04G-JCLI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
IS21ES04G-JCLI, IS21ES04G-JCLI Datasheet (Totale pagine: 39, Dimensioni: 2.006,73 KB)
PDFIS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Copertura
IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 2 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 3 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 4 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 5 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 6 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 7 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 8 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 9 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 10 IS21ES04G-JCLI-TR Datasheet Pagina 11

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  • IS21ES04G-JCLI Distributor

IS21ES04G-JCLI Specifiche

ProduttoreISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH - NAND (MLC)
Dimensione della memoria32Gb (4G x 8)
Interfaccia di memoriaeMMC
Frequenza di clock200MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia153-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore153-VFBGA (11.5x13)

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IS61QDP2B22M18A-333M3L

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QUADP

Dimensione della memoria

36Mb (2M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.4ns

Tensione - Alimentazione

1.71V ~ 1.89V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-LFBGA (15x17)

MT48LC4M32B2B5-7:G

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM

Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

143MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

14ns

Tempo di accesso

5.5ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

90-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

90-VFBGA (8x13)

AT28C256-20FM/883-815

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ms

Tempo di accesso

200ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-CFlatPack

Pacchetto dispositivo fornitore

28-Flatpack, Ceramic Bottom-Brazed

AT27C256R-15TI

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EPROM

Tecnologia

EPROM - OTP

Dimensione della memoria

256Kb (32K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

150ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-TSOP

CY7C2644KV18-333BZI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, QDR II+

Dimensione della memoria

144Mb (4M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

165-FBGA (15x17)

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