IRS2117PBF
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| Numero parte | IRS2117PBF |
| PNEDA Part # | IRS2117PBF |
| Descrizione | IC DRIVER MOSFET/IGBT 1CH 8-DIP |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.390 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 25 - nov 30 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRS2117PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRS2117PBF |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IRS2117PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | High-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 290mA, 600mA |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 75ns, 35ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
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Produttore STMicroelectronics Serie - Configurazione guidata High-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 500mA, 500mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 300V Tempo di salita / discesa (tipico) 100ns, 100ns Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10.8V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.25A, 2A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 26ns, 18ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Renesas Electronics America Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) -, 4A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 36V Tempo di salita / discesa (tipico) 8ns, 8ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.5V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 290mA, 600mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 70ns, 35ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
Produttore Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 14V Tensione logica - VIL, VIH 2.3V, - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100V Tempo di salita / discesa (tipico) 430ns, 260ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 10-WDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 10-WSON (4x4) |
