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IRL3715ZCS

IRL3715ZCS

Solo per riferimento

Numero parte IRL3715ZCS
PNEDA Part # IRL3715ZCS
Descrizione MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.148
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 17 - nov 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRL3715ZCS Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRL3715ZCS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRL3715ZCS, IRL3715ZCS Datasheet (Totale pagine: 12, Dimensioni: 277,13 KB)
PDFIRL3715ZCS Datasheet Copertura
IRL3715ZCS Datasheet Pagina 2 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 3 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 4 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 5 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 6 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 7 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 8 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 9 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 10 IRL3715ZCS Datasheet Pagina 11

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  • IRL3715ZCS Distributor

IRL3715ZCS Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C50A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.55V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds870pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)45W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

IRFB4215PBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

115A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9mOhm @ 54A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4080pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

270W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IRFP450NPBF

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

370mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

200W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

JANTX2N6798

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/557

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

420mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42.07nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta), 25W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-205AF (TO-39)

Pacchetto / Custodia

TO-205AF Metal Can

NVMFS6B75NLT3G

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Ta), 28A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs (massimo)

±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.5W (Ta), 56W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

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