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IRGIB15B60KD1P

IRGIB15B60KD1P

Solo per riferimento

Numero parte IRGIB15B60KD1P
PNEDA Part # IRGIB15B60KD1P
Descrizione IGBT 600V 19A 52W TO220FP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 34.500
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 26 - mag 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRGIB15B60KD1P Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRGIB15B60KD1P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRGIB15B60KD1P Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)19A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)38A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 15A
Potenza - Max52W
Switching Energy127µJ (on), 334µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge56nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C30ns/173ns
Condizione di test400V, 15A, 22Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)67ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB Full-Pak

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 20A

Potenza - Max

164W

Switching Energy

500µJ (on), 500µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

91nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/151ns

Condizione di test

480V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRGB4710DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

RGT16NL65DGTL

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Potenza - Max

94W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

21nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/33ns

Condizione di test

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

LPDS

APT45GR65B2DU30

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

118A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

224A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

Potenza - Max

543W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

203nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/100ns

Condizione di test

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

80ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 4V, 15A

Potenza - Max

115W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

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Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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