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IRG4BC30SPBF

IRG4BC30SPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC30SPBF
PNEDA Part # IRG4BC30SPBF
Descrizione IGBT 600V 34A 100W TO220AB
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 16.578
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 30 - dic 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC30SPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC30SPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4BC30SPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)34A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)68A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.6V @ 15V, 18A
Potenza - Max100W
Switching Energy260µJ (on), 3.45mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge50nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C22ns/540ns
Condizione di test480V, 18A, 23Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

2.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

65nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

100ns/850ns

Condizione di test

800V, 12A, 120Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 12A

Potenza - Max

150W

Switching Energy

160µJ (on), 90µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/75ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

30ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

APT85GR120B2

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

170A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

340A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 85A

Potenza - Max

962W

Switching Energy

6mJ (on), 3.8mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

660nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

43ns/300ns

Condizione di test

600V, 85A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

T-MAX™

STGB3NB60FDT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Potenza - Max

68W

Switching Energy

125µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

16nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

12.5ns/105ns

Condizione di test

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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62ns

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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