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IRG4BC30F-STRR

IRG4BC30F-STRR

Solo per riferimento

Numero parte IRG4BC30F-STRR
PNEDA Part # IRG4BC30F-STRR
Descrizione IGBT 600V 31A 100W D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.982
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 24 - apr 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRG4BC30F-STRR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRG4BC30F-STRR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IRG4BC30F-STRR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)31A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 17A
Potenza - Max100W
Switching Energy230µJ (on), 1.18mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge51nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C21ns/200ns
Condizione di test480V, 17A, 23Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK

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Produttore

Infineon Technologies

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

42A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 20A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

160µJ (on), 60µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

48nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/165ns

Condizione di test

400V, 10A, 32Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

IRGS4B60KD1TRLP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Potenza - Max

63W

Switching Energy

73µJ (on), 47µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/100ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

93ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

IRGS6B60KPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

13A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

26A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 5A

Potenza - Max

90W

Switching Energy

110µJ (on), 135µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

18.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

25ns/215ns

Condizione di test

400V, 5A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

RJH60D7DPM-00#T1

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

Potenza - Max

55W

Switching Energy

1.1mJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

130nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/190ns

Condizione di test

300V, 50A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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