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IRFZ46NS

IRFZ46NS

Solo per riferimento

Numero parte IRFZ46NS
PNEDA Part # IRFZ46NS
Descrizione MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.166
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 20 - apr 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFZ46NS Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFZ46NS
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFZ46NS, IRFZ46NS Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 257,35 KB)
PDFIRFZ46NSTRL Datasheet Copertura
IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 2 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 3 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 4 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 5 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 6 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 7 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 8 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 9 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 10 IRFZ46NSTRL Datasheet Pagina 11

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IRFZ46NS Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C53A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.5mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1696pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)3.8W (Ta), 107W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.05A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

570mV @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

152pF @ 16V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

417mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IPC60R950C6UNSAWNX6SA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

FDMS7578

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A (Ta), 28A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.8mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1625pF @ 13V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 33W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

IPA65R310DEXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

ZXM41N10FTC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

170mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

3V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±40V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

360mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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