IRFZ34NL

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Numero parte | IRFZ34NL |
PNEDA Part # | IRFZ34NL |
Descrizione | MOSFET N-CH 55V 29A TO-262 |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.276 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFZ34NL Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IRFZ34NL |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IRFZ34NL Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 29A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 16A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-262 |
Pacchetto / Custodia | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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