IRFZ24
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| Numero parte | IRFZ24 |
| PNEDA Part # | IRFZ24 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.572 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 27 - dic 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFZ24 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFZ24 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IRFZ24 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 4V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 4-Microfoot Pacchetto / Custodia 4-XFBGA, CSPBGA |
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