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IRFU5505PBF

IRFU5505PBF

Solo per riferimento

Numero parte IRFU5505PBF
PNEDA Part # IRFU5505PBF
Descrizione MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 55.926
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFU5505PBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFU5505PBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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IRFU5505PBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)57W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreIPAK (TO-251)
Pacchetto / CustodiaTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Tj)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.2nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375mW (Ta), 2.4W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSSOP

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SPP42N03S2L13

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

42A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.9mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 37µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3-1

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

FQPF6N40CF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

QFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

38W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220F

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

SSM3K16CT,L3F

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSIV

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.3pF @ 3V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

100mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

CST3

Pacchetto / Custodia

SC-101, SOT-883

SPD06N80C3ATMA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

900mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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