IRFR2307ZPBF
![IRFR2307ZPBF](http://pneda.ltd/static/products/images_mk/401/IRFR2307ZPBF.webp)
Solo per riferimento
Numero parte | IRFR2307ZPBF |
PNEDA Part # | IRFR2307ZPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 75V 42A DPAK |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 7.146 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | feb 19 - feb 24 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRFR2307ZPBF Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
![]() |
Mfr. Numero di parte | IRFR2307ZPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
![TT](/res/v2/images/help/p-tt.gif )
![Unionpay](/res/v2/images/help/p-unionpay.gif )
![paypal](/res/v2/images/help/p-paypal.gif )
![paypalwtcreditcard](/res/v2/images/help/p-paypalwtcreditcard.gif )
![alipay](/res/v2/images/help/p-alipay.gif )
![wu](/res/v2/images/help/p-wu.gif )
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
![TNT](/res/v2/images/help/s-tnt.gif )
![UPS](/res/v2/images/help/s-ups.gif )
![Fedex](/res/v2/images/help/s-fedex.gif )
![EMS](/res/v2/images/help/s-ems.gif )
![DHL](/res/v2/images/help/s-dhl.gif )
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRFR2307ZPBF Datasheet
- where to find IRFR2307ZPBF
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFR2307ZPBF
- IRFR2307ZPBF PDF Datasheet
- IRFR2307ZPBF Stock
- IRFR2307ZPBF Pinout
- Datasheet IRFR2307ZPBF
- IRFR2307ZPBF Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFR2307ZPBF Price
- IRFR2307ZPBF Distributor
IRFR2307ZPBF Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | HEXFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 42A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2190pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Produttore Microsemi Corporation Serie POWER MOS V® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 112A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 495nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 11640pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 500W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP® Pacchetto / Custodia SOT-227-4, miniBLOC |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3150pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta), 120W (Tc) Temperatura di esercizio 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-HSON Pacchetto / Custodia 8-PowerLDFN |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363 Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Produttore Torex Semiconductor Ltd Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 20.7A (Ta), 73A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1490pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |