IRFR13N20DTR
Solo per riferimento
| Numero parte | IRFR13N20DTR |
| PNEDA Part # | IRFR13N20DTR |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 13A DPAK |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.964 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | set 23 - set 28 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IRFR13N20DTR Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IRFR13N20DTR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRFR13N20DTR Datasheet
- where to find IRFR13N20DTR
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies IRFR13N20DTR
- IRFR13N20DTR PDF Datasheet
- IRFR13N20DTR Stock
- IRFR13N20DTR Pinout
- Datasheet IRFR13N20DTR
- IRFR13N20DTR Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- IRFR13N20DTR Price
- IRFR13N20DTR Distributor
IRFR13N20DTR Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 235mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 830pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 110W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 8V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.34A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.6nC @ 5V Vgs (massimo) ±5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 585pF @ 4V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 236mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-89-6 Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 20V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 53W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252AA Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore STMicroelectronics Serie SuperMESH™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore I-PAK Pacchetto / Custodia TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/601 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 100V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs 185mOhm @ 8A, 12V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 12V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 25W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 18-ULCC (9.14x7.49) Pacchetto / Custodia 18-CLCC |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen III Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 6V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 19W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single Pacchetto / Custodia PowerPAK® SC-70-6 |
