IRFI840GLCPBF
Solo per riferimento
Numero parte | IRFI840GLCPBF |
PNEDA Part # | IRFI840GLCPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220FP |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 19.224 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | set 22 - set 27 (Scegli Spedizione rapida) |
Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
IRFI840GLCPBF Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IRFI840GLCPBF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
IRFI840GLCPBF, IRFI840GLCPBF Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 1.655,07 KB)
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IRFI840GLCPBF Datasheet
- where to find IRFI840GLCPBF
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix IRFI840GLCPBF
- IRFI840GLCPBF PDF Datasheet
- IRFI840GLCPBF Stock
- IRFI840GLCPBF Pinout
- Datasheet IRFI840GLCPBF
- IRFI840GLCPBF Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- IRFI840GLCPBF Price
- IRFI840GLCPBF Distributor
IRFI840GLCPBF Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
I prodotti a cui potresti essere interessato
Alpha & Omega Semiconductor Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 500V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 104W (Tc) Temperatura di esercizio -50°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak) Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 169nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 357W (Tj) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-HPSOF Pacchetto / Custodia 8-PowerSFN |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 11A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4766pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie * Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto dispositivo fornitore - Pacchetto / Custodia - |
ON Semiconductor Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 4.75A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 38W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220F Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |