IRFHS9301TR2PBF
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| Numero parte | IRFHS9301TR2PBF |
| PNEDA Part # | IRFHS9301TR2PBF |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 6A PQFN |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.506 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRFHS9301TR2PBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRFHS9301TR2PBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRFHS9301TR2PBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta), 13A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 580pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-PQFN (2x2) |
| Pacchetto / Custodia | 6-PowerVDFN |
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