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IRFBA1404

IRFBA1404

Solo per riferimento

Numero parte IRFBA1404
PNEDA Part # IRFBA1404
Descrizione MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.102
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRFBA1404 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRFBA1404
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRFBA1404, IRFBA1404 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 115,58 KB)
PDFIRFBA1404 Datasheet Copertura
IRFBA1404 Datasheet Pagina 2 IRFBA1404 Datasheet Pagina 3 IRFBA1404 Datasheet Pagina 4 IRFBA1404 Datasheet Pagina 5 IRFBA1404 Datasheet Pagina 6 IRFBA1404 Datasheet Pagina 7 IRFBA1404 Datasheet Pagina 8 IRFBA1404 Datasheet Pagina 9

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IRFBA1404 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C206A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7360pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)300W (Tc)
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreSUPER-220™ (TO-273AA)
Pacchetto / CustodiaTO-273AA

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

149mOhm @ 600mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 4V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

331pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

500mW (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

UFM

Pacchetto / Custodia

3-SMD, Flat Leads

NTMFS5C682NLT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 16µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

28W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

DMN10H170SFDE-13

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.9A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1167pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

660mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

U-DFN2020-6 (Type E)

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

STripFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

345pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

375A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6660pF @ 25V

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