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IRF8852TRPBF

IRF8852TRPBF

Solo per riferimento

Numero parte IRF8852TRPBF
PNEDA Part # IRF8852TRPBF
Descrizione MOSFET 2N-CH 25V 7.8A 8TSSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.658
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 18 - apr 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF8852TRPBF Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF8852TRPBF
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF8852TRPBF, IRF8852TRPBF Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 271,29 KB)
PDFIRF8852TRPBF Datasheet Copertura
IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 2 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 3 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 4 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 5 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 6 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 7 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 8 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 9 IRF8852TRPBF Datasheet Pagina 10

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IRF8852TRPBF Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.3mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.35V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1151pF @ 20V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

Vishay Siliconix

Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

10.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® ChipFET™ Dual

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

Potenza - Max

700mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

FDS8960C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

35V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

570pF @ 15V

Potenza - Max

900mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600mA, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

Potenza - Max

380mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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