IRF8252TRPBF-1
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| Numero parte | IRF8252TRPBF-1 |
| PNEDA Part # | IRF8252TRPBF-1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 25V 25A |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.772 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 3 - apr 8 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF8252TRPBF-1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF8252TRPBF-1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IRF8252TRPBF-1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 25A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5305pF @ 13V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15A (Ta), 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V Vgs (massimo) ±25V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 90W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-252 Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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