IRF7811WGTRPBF
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| Numero parte | IRF7811WGTRPBF |
| PNEDA Part # | IRF7811WGTRPBF |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.966 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 28 - dic 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF7811WGTRPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF7811WGTRPBF |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IRF7811WGTRPBF, IRF7811WGTRPBF Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 184,82 KB)
  
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IRF7811WGTRPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 15A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
| Vgs (massimo) | ±12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2335pF @ 16V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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