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IRF7756

IRF7756

Solo per riferimento

Numero parte IRF7756
PNEDA Part # IRF7756
Descrizione MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.318
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7756 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7756
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IRF7756, IRF7756 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 180,75 KB)
PDFIRF7756TR Datasheet Copertura
IRF7756TR Datasheet Pagina 2 IRF7756TR Datasheet Pagina 3 IRF7756TR Datasheet Pagina 4 IRF7756TR Datasheet Pagina 5 IRF7756TR Datasheet Pagina 6 IRF7756TR Datasheet Pagina 7 IRF7756TR Datasheet Pagina 8 IRF7756TR Datasheet Pagina 9

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IRF7756 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 10V
Potenza - Max1W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-TSSOP

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

8V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

520mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

880mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 880mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

750mV @ 1.6µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.26nC @ 2.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

78pF @ 10V

Potenza - Max

500mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

12.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 50V

Potenza - Max

25W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® 1212-8 Dual

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® 1212-8 Dual

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

16A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 13V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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