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IRF7484Q

IRF7484Q

Solo per riferimento

Numero parte IRF7484Q
PNEDA Part # IRF7484Q
Descrizione MOSFET N-CH 40V 14A 8-SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.700
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRF7484Q Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRF7484Q
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IRF7484Q, IRF7484Q Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 248,84 KB)
PDFIRF7484Q Datasheet Copertura
IRF7484Q Datasheet Pagina 2 IRF7484Q Datasheet Pagina 3 IRF7484Q Datasheet Pagina 4 IRF7484Q Datasheet Pagina 5 IRF7484Q Datasheet Pagina 6 IRF7484Q Datasheet Pagina 7 IRF7484Q Datasheet Pagina 8 IRF7484Q Datasheet Pagina 9 IRF7484Q Datasheet Pagina 10

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IRF7484Q Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C14A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)7V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 14A, 7V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100nC @ 7V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds3520pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)2.5W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

Vishay Siliconix

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TSOP

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

DMP3164LVT-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

*

Tipo FET

-

Tecnologia

-

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Pacchetto / Custodia

-

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

67A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1220pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

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Rds On (Max) @ Id, Vgs

3Ohm @ 400mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

580mW (Ta), 12.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

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