IRF6602
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| Numero parte | IRF6602 |
| PNEDA Part # | IRF6602 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.670 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) |
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IRF6602 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IRF6602 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IRF6602 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1420pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MQ |
| Pacchetto / Custodia | DirectFET™ Isometric MQ |
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