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IRD3CH101DB6

IRD3CH101DB6

Solo per riferimento

Numero parte IRD3CH101DB6
PNEDA Part # IRD3CH101DB6
Descrizione DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.542
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 2 - dic 7 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IRD3CH101DB6 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIRD3CH101DB6
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
IRD3CH101DB6, IRD3CH101DB6 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 222,56 KB)
PDFIRD3CH101DB6 Datasheet Copertura
IRD3CH101DB6 Datasheet Pagina 2 IRD3CH101DB6 Datasheet Pagina 3 IRD3CH101DB6 Datasheet Pagina 4 IRD3CH101DB6 Datasheet Pagina 5 IRD3CH101DB6 Datasheet Pagina 6

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IRD3CH101DB6 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)1200V
Corrente - Media Rettificata (Io)200A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If2.7V @ 200A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)360ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr3.6µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Temperatura di esercizio - Giunzione-40°C ~ 175°C

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

350A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

2.26V @ 1100A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.5µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

35mA @ 1600V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Clamp On

Pacchetto / Custodia

DO-200AA, A-PUK

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-200AA, A-PUK

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

MBRF2050 C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

20A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

820mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

ITO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

BAV20,113

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

150V

Corrente - Media Rettificata (Io)

250mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 200mA

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

50ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

100nA @ 150V

Capacità @ Vr, F

5pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-204AH, DO-35, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

ALF2

Temperatura di esercizio - Giunzione

175°C (Max)

TMMBAT46FILM

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

150mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

450mV @ 10mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 75V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AA (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

Mini MELF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

1N3291A

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

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