IR2112SPBF
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| Numero parte | IR2112SPBF |
| PNEDA Part # | IR2112SPBF |
| Descrizione | IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 10.524 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 4 - nov 9 (Scegli Spedizione rapida) |
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IR2112SPBF Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IR2112SPBF |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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IR2112SPBF Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | Half-Bridge |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Tipo di porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 10V ~ 20V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 6V, 9.5V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | 250mA, 500mA |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 80ns, 40ns |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.7V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 1.9A, 2.3A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 40ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 8-DIP (0.300", 7.62mm) Pacchetto dispositivo fornitore 8-PDIP |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta N-Channel, P-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 3A, 3A Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 20ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore Microchip Technology Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Single Numero di driver 1 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 18V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 9A, 9A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 24ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
Produttore ON Semiconductor Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Synchronous Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 4.6V ~ 13.2V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 35V Tempo di salita / discesa (tipico) 20ns, 11ns Temperatura di esercizio -20°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-VFDFN Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (3x3) |
Produttore Serie - Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta - Tensione - Alimentazione 4.5V ~ 5.5V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 500mA, 500mA Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 50ns, 90ns Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC |
