IPW65R048CFDAFKSA1
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| Numero parte | IPW65R048CFDAFKSA1 |
| PNEDA Part # | IPW65R048CFDAFKSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.262 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 23 - nov 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPW65R048CFDAFKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPW65R048CFDAFKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPW65R048CFDAFKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 650V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 63.3A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 29.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 2.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7440pF @ 100V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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