IPS110N12N3GBKMA1
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| Numero parte | IPS110N12N3GBKMA1 |
| PNEDA Part # | IPS110N12N3GBKMA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 120V 75A TO251-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.430 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 27 - mag 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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IPS110N12N3GBKMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPS110N12N3GBKMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
IPS110N12N3GBKMA1, IPS110N12N3GBKMA1 Datasheet
(Totale pagine: 11, Dimensioni: 587,97 KB)
  
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IPS110N12N3GBKMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 75A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4310pF @ 60V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 136W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
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