IPP70N10S3L12AKSA1
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| Numero parte | IPP70N10S3L12AKSA1 |
| PNEDA Part # | IPP70N10S3L12AKSA1 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.214 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPP70N10S3L12AKSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IPP70N10S3L12AKSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPP70N10S3L12AKSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.1mOhm @ 70A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 70A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.9nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1334pF @ 12V Funzione FET Schottky Diode (Body) Dissipazione di potenza (max) 65W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
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Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 86A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.9V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2120pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ MN Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric MN |
