IPD80R1K4P7ATMA1
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Numero parte | IPD80R1K4P7ATMA1 |
PNEDA Part # | IPD80R1K4P7ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 4A DPAK |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 20.316 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IPD80R1K4P7ATMA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | IPD80R1K4P7ATMA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IPD80R1K4P7ATMA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 500V |
Funzione FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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