IMZ120R060M1HXKSA1
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Numero parte | IMZ120R060M1HXKSA1 |
PNEDA Part # | IMZ120R060M1HXKSA1 |
Descrizione | COOLSIC MOSFETS 1200V |
Produttore | Infineon Technologies |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 5.760 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IMZ120R060M1HXKSA1 Risorse
Brand | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IMZ120R060M1HXKSA1 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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IMZ120R060M1HXKSA1 Specifiche
Produttore | Infineon Technologies |
Serie | CoolSiC™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1.2kV |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 13A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.7V @ 5.6mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 18V |
Vgs (massimo) | +23V, -7V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1.06nF @ 800V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO247-4-1 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-4 |
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