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IMX25T110

IMX25T110

Solo per riferimento

Numero parte IMX25T110
PNEDA Part # IMX25T110
Descrizione TRANS 2NPN 20V 0.3A 6SMT
Produttore Rohm Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.416
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 17 - apr 22 (Scegli Spedizione rapida)
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IMX25T110 Risorse

Brand Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIMX25T110
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
IMX25T110, IMX25T110 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 992,53 KB)
PDFIMX25T110 Datasheet Copertura
IMX25T110 Datasheet Pagina 2 IMX25T110 Datasheet Pagina 3 IMX25T110 Datasheet Pagina 4

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IMX25T110 Specifiche

ProduttoreRohm Semiconductor
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic100mV @ 3mA, 30mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce820 @ 4ma, 2V
Potenza - Max300mW
Frequenza - Transizione35MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSMT6

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 10V

Potenza - Max

2.75W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

SM8

CEN955 W/DATA

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

2N3810U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

PBSS4260PANP,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN, PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

90mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

120 @ 1A, 2V

Potenza - Max

510mW

Frequenza - Transizione

140MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-HUSON-EP (2x2)

US6X7TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 25mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

270 @ 200mA, 2V

Potenza - Max

400mW

Frequenza - Transizione

400MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Pacchetto / Custodia

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