IGB03N120H2ATMA1
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| Numero parte | IGB03N120H2ATMA1 |
| PNEDA Part # | IGB03N120H2ATMA1 |
| Descrizione | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.256 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IGB03N120H2ATMA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IGB03N120H2ATMA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
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IGB03N120H2ATMA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | - |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 9.6A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 9.9A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Potenza - Max | 62.5W |
| Switching Energy | 290µJ |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 22nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 9.2ns/281ns |
| Condizione di test | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO263-3 |
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