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IGB01N120H2ATMA1

IGB01N120H2ATMA1

Solo per riferimento

Numero parte IGB01N120H2ATMA1
PNEDA Part # IGB01N120H2ATMA1
Descrizione IGBT 1200V 3.2A 28W TO263-3-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.194
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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IGB01N120H2ATMA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIGB01N120H2ATMA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IGB01N120H2ATMA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3.2A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)3.5A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 1A
Potenza - Max28W
Switching Energy140µJ
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge8.6nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C13ns/370ns
Condizione di test800V, 1A, 241Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-3-2

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

430V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 5V, 14A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

22nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

900ns/4.4µs

Condizione di test

300V, 46Ohm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

FGA90N30DTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

90A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

220A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 20A

Potenza - Max

219W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

87nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

21ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

IRG4P254SPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

98A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

196A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 55A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

380µJ (on), 3.5mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

40ns/270ns

Condizione di test

200V, 55A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

Produttore

IXYS

Serie

Polar™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

240A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 120A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

225nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

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Produttore

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

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Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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