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IFS150B12N3E4B31BOSA1

IFS150B12N3E4B31BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte IFS150B12N3E4B31BOSA1
PNEDA Part # IFS150B12N3E4B31BOSA1
Descrizione MOD IGBT LOW PWR ECONO
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.390
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 11 - apr 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IFS150B12N3E4B31BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIFS150B12N3E4B31BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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IFS150B12N3E4B31BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)300A
Potenza - Max750W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.15V @ 15V, 150A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce9.35nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

APTGV100H60T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT, Trench Field Stop

Configurazione

Full Bridge Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

340W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.85nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

APTCV60TLM45T3G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Level Inverter - IGBT, FET

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

VS-GB600AH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

910A

Potenza - Max

3125W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 600A (Typ)

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

41nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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