IDT71V416YS12YI
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| Numero parte | IDT71V416YS12YI |
| PNEDA Part # | IDT71V416YS12YI |
| Descrizione | IC SRAM 4M PARALLEL 44SOJ |
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.382 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDT71V416YS12YI Risorse
| Brand | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDT71V416YS12YI |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
IDT71V416YS12YI, IDT71V416YS12YI Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 102,68 KB)
  
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IDT71V416YS12YI Specifiche
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 12ns |
| Tempo di accesso | 12ns |
| Tensione - Alimentazione | 3V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 44-SOJ |
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Produttore IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria SRAM Tecnologia SRAM - Synchronous, SDR Dimensione della memoria 4.5Mb (128K x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso 7.5ns Tensione - Alimentazione 3.135V ~ 3.465V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 100-LQFP Pacchetto dispositivo fornitore 100-TQFP (14x14) |
