IDT71024S12Y
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| Numero parte | IDT71024S12Y |
| PNEDA Part # | IDT71024S12Y |
| Descrizione | IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ |
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.082 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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IDT71024S12Y Risorse
| Brand | IDT, Integrated Device Technology |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IDT71024S12Y |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
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IDT71024S12Y Specifiche
| Produttore | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
| Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 12ns |
| Tempo di accesso | 12ns |
| Tensione - Alimentazione | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-SOJ |
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Produttore Silicon Motion, Inc. Serie * Tipo di memoria - Formato memoria - Tecnologia - Dimensione della memoria - Interfaccia di memoria - Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2 Dimensione della memoria 16Gb (512M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 533MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.14V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 168-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 168-FBGA (12x12) |
Produttore ABLIC U.S.A. Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria EEPROM Tecnologia EEPROM Dimensione della memoria 2Kb (256 x 8) Interfaccia di memoria SPI Frequenza di clock 5MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 4ms Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.6V ~ 5.5V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4 Dimensione della memoria 32Gb (512M x 64) Interfaccia di memoria - Frequenza di clock 1866MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.1V Temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 366-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 366-WFBGA (12x12.7) |
Produttore Toshiba Memory America, Inc. Serie e•MMC™ Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 128Gb (16G x 8) Interfaccia di memoria eMMC Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione - Temperatura di esercizio -25°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 153-WFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 153-FBGA (11.5x13) |
