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IDK03G65C5XTMA2

IDK03G65C5XTMA2

Solo per riferimento

Numero parte IDK03G65C5XTMA2
PNEDA Part # IDK03G65C5XTMA2
Descrizione DIODE SCHOTTKY 650V 3A TO263-2
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.412
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata dic 25 - dic 30 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDK03G65C5XTMA2 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDK03G65C5XTMA2
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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IDK03G65C5XTMA2 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)650V
Corrente - Media Rettificata (Io)3A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 3A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr500µA @ 650V
Capacità @ Vr, F100pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO263-2
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

650mV @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

200µA @ 50V

Capacità @ Vr, F

110pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-221AC, SMA Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

SMAF

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

MR854

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

300ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 400V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

DO-201AA, DO-27, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-201AD

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

BAS86,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

50V

Corrente - Media Rettificata (Io)

200mA (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

900mV @ 100mA

Velocità

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Tempo di recupero inverso (trr)

4ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 40V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 1V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

Pacchetto dispositivo fornitore

LLDS; MiniMelf

Temperatura di esercizio - Giunzione

125°C (Max)

SS26L RQG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

2A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

400µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

GL41J-E3/96

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

SUPERECTIFIER®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AB

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

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