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IDC04S60CEX1SA1

IDC04S60CEX1SA1

Solo per riferimento

Numero parte IDC04S60CEX1SA1
PNEDA Part # IDC04S60CEX1SA1
Descrizione DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.020
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 24 - nov 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IDC04S60CEX1SA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIDC04S60CEX1SA1
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
IDC04S60CEX1SA1, IDC04S60CEX1SA1 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 57,48 KB)
PDFIDC04S60CEX7SA1 Datasheet Copertura
IDC04S60CEX7SA1 Datasheet Pagina 2 IDC04S60CEX7SA1 Datasheet Pagina 3 IDC04S60CEX7SA1 Datasheet Pagina 4 IDC04S60CEX7SA1 Datasheet Pagina 5

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IDC04S60CEX1SA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieCoolSiC™+
Tipo di diodoSilicon Carbide Schottky
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)4A (DC)
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.9V @ 4A
VelocitàNo Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr50µA @ 600V
Capacità @ Vr, F130pF @ 1V, 1MHz
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaDie
Pacchetto dispositivo fornitoreDie
Temperatura di esercizio - Giunzione-55°C ~ 175°C

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Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

600V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.15V @ 10A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

3µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

15µA @ 600V

Capacità @ Vr, F

67pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab) Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AC (SMPD)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

FES8DT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

950mV @ 8A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-2

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AC

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

UH3BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media Rettificata (Io)

3A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

40ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 100V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AB, SMC

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AB (SMC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

S1PM-M3/85A

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

eSMP®

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1000V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1µA @ 1000V

Capacità @ Vr, F

6pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

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Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

5A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

700mV @ 5A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

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