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HUFA76413DK8T

HUFA76413DK8T

Solo per riferimento

Numero parte HUFA76413DK8T
PNEDA Part # HUFA76413DK8T
Descrizione MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 29 - dic 4 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HUFA76413DK8T Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHUFA76413DK8T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
HUFA76413DK8T, HUFA76413DK8T Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 269,3 KB)
PDFHUFA76413DK8T Datasheet Copertura
HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 2 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 3 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 4 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 5 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 6 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 7 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 8 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 9 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 10 HUFA76413DK8T Datasheet Pagina 11

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HUFA76413DK8T Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
SerieUltraFET™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C5.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs49mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds620pF @ 25V
Potenza - Max2.5W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 4A, 10V, 4.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V, 45nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V, 2800pF @ 25V

Potenza - Max

27W (Tc), 48W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 10V

Potenza - Max

5W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

15-SIP

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

125mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2.2W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

10.6V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

500Ohm @ 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

10mV @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2.5pF @ 5V

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