HSM830GE3/TR13
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| Numero parte | HSM830GE3/TR13 |
| PNEDA Part # | HSM830GE3-TR13 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.110 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 1 - dic 6 (Scegli Spedizione rapida) |
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HSM830GE3/TR13 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HSM830GE3/TR13 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
HSM830GE3/TR13, HSM830GE3/TR13 Datasheet
(Totale pagine: 2, Dimensioni: 105,96 KB)
  
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HSM830GE3/TR13 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 30V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 8A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 8A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 30V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-215AB |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 30A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 30A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Pacchetto dispositivo fornitore I2PAK (TO-262) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia Ultramite™ Pacchetto dispositivo fornitore Ultramite™ Temperatura di esercizio - Giunzione -50°C ~ 125°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 75V Corrente - Media Rettificata (Io) 300mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 4ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2.5µA @ 75V Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 150A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.6V @ 150A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 600V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-218-1 Pacchetto dispositivo fornitore TO-218 Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore GeneSiC Semiconductor Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 100A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 100A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 9mA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Chassis, Stud Mount Pacchetto / Custodia DO-205AA, DO-8, Stud Pacchetto dispositivo fornitore DO-205AA (DO-8) Temperatura di esercizio - Giunzione -40°C ~ 200°C |
