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HN4B04J(TE85L,F)

HN4B04J(TE85L,F)

Solo per riferimento

Numero parte HN4B04J(TE85L,F)
PNEDA Part # HN4B04J-TE85L-F
Descrizione TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SMV
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 22.254
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 15 - apr 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HN4B04J(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHN4B04J(TE85L,F)
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array

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HN4B04J(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistorNPN, PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)500mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 100mA, 1V
Potenza - Max300mW
Frequenza - Transizione200MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74A, SOT-753
Pacchetto dispositivo fornitoreSMV

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

4 NPN Darlington (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.75A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 2.25mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-20°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

16-PowerDIP (20x7.10)

NST3906DXV6T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-563, SOT-666

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-563

ZDT749TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 2V

Potenza - Max

2.75W

Frequenza - Transizione

160MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

SM8

NSVUMC5NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

150mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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