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HN3C51F-BL(TE85L,F

HN3C51F-BL(TE85L,F

Solo per riferimento

Numero parte HN3C51F-BL(TE85L,F
PNEDA Part # HN3C51F-BL-TE85L-F
Descrizione TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.790
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Consegna stimata apr 9 - apr 14 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HN3C51F-BL(TE85L Risorse

Brand Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHN3C51F-BL(TE85L,F
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array
Datasheet
HN3C51F-BL(TE85L, HN3C51F-BL(TE85L Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 339,59 KB)
PDFHN3C51F-GR(TE85L Datasheet Copertura
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HN3C51F-BL(TE85L Specifiche

ProduttoreToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)100mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)120V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (Max)100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce350 @ 2mA, 6V
Potenza - Max300mW
Frequenza - Transizione100MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-74, SOT-457
Pacchetto dispositivo fornitoreSM6

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JAN2N2919U

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/355

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

3-SMD

STA402A

Sanken

Produttore

Sanken

Serie

-

Tipo di transistor

4 PNP Darlington (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 10mA, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 3A, 4V

Potenza - Max

4W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

10-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

10-SIP

ZDT705TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP Darlington (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 2mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

3000 @ 1A, 5V

Potenza - Max

2.75W

Frequenza - Transizione

160MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-223-8

Pacchetto dispositivo fornitore

SM8

SG2803J-883B

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

8 NPN Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

1000 @ 350mA, 2V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

18-CDIP

JANTX2N6987

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/558

Tipo di transistor

4 PNP (Quad)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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