HN3C10FUTE85LF

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Numero parte | HN3C10FUTE85LF |
PNEDA Part # | HN3C10FUTE85LF |
Descrizione | RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 8.244 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | apr 8 - apr 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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HN3C10FUTE85LF Risorse
Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | HN3C10FUTE85LF |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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HN3C10FUTE85LF Specifiche
Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Serie | - |
Tipo di transistor | 2 NPN (Dual) |
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 12V |
Frequenza - Transizione | 7GHz |
Figura di rumore (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
Guadagno | 11.5dB |
Potenza - Max | 200mW |
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 20mA, 10V |
Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 80mA |
Temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
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