HN2S02FU(TE85L,F)
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| Numero parte | HN2S02FU(TE85L,F) |
| PNEDA Part # | HN2S02FU-TE85L-F |
| Descrizione | SMALL-SIGNAL SCHOTTKY BARRIER DI |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.488 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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HN2S02FU(TE85L Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HN2S02FU(TE85L,F) |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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HN2S02FU(TE85L Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | * |
| Configurazione diodi | - |
| Tipo di diodo | - |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | - |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | - |
| Velocità | - |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
I prodotti a cui potresti essere interessato
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 840mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 45V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-3 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD (TO-3P) |
