HN2S01FUTE85LF
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| Numero parte | HN2S01FUTE85LF |
| PNEDA Part # | HN2S01FUTE85LF |
| Descrizione | DIODE ARRAY SCHOTTKY 10V US6 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.196 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 14 - apr 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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HN2S01FUTE85LF Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HN2S01FUTE85LF |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Array |
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HN2S01FUTE85LF Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Configurazione diodi | 3 Independent |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 10V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 100mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 10V |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | 125°C (Max) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | US6 |
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Produttore Semtech Corporation Serie - Configurazione diodi - Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 150V Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 15A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 18A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 30ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 20µA @ 150V Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C Tipo di montaggio Chassis Mount Pacchetto / Custodia Module Pacchetto dispositivo fornitore - |
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