HGTP10N120BN
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| Numero parte | HGTP10N120BN |
| PNEDA Part # | HGTP10N120BN |
| Descrizione | IGBT 1200V 35A 298W TO220AB |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.168 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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HGTP10N120BN Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | HGTP10N120BN |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Singolo |
| Datasheet |
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HGTP10N120BN Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 35A |
| Corrente - Collettore Pulsato (Icm) | 80A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Potenza - Max | 298W |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Tipo di ingresso | Standard |
| Gate Charge | 100nC |
| Td (acceso / spento) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| Condizione di test | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
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