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HFA3127BZ

HFA3127BZ

Solo per riferimento

Numero parte HFA3127BZ
PNEDA Part # HFA3127BZ
Descrizione RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 14.184
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata nov 26 - dic 1 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HFA3127BZ Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHFA3127BZ
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
HFA3127BZ, HFA3127BZ Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datasheet Copertura
HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 2 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 3 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 4 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 5 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 6 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 7 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 8 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 9 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 10 HFA3128RZ96 Datasheet Pagina 11

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HFA3127BZ Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di transistor5 NPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione8GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Guadagno-
Potenza - Max150mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)65mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore16-SOIC

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

700MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Guadagno

-

Potenza - Max

625mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

1.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

2SC4853A-4-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.6dB ~ 1.9dB @ 1GHz

Guadagno

7dB ~ 10.5dB @ 1GHz

Potenza - Max

90mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 1mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

3-MCP

MS3455

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MDS800

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

1.09GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.6dB

Potenza - Max

1458W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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