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HFA3102B96

HFA3102B96

Solo per riferimento

Numero parte HFA3102B96
PNEDA Part # HFA3102B96
Descrizione RF TRANS 6 NPN 12V 10GHZ 14SOIC
Produttore Renesas Electronics America Inc.
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.070
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata feb 18 - feb 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

HFA3102B96 Risorse

Brand Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteHFA3102B96
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
HFA3102B96, HFA3102B96 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 462,23 KB)
PDFHFA3102B96 Datasheet Copertura
HFA3102B96 Datasheet Pagina 2 HFA3102B96 Datasheet Pagina 3 HFA3102B96 Datasheet Pagina 4 HFA3102B96 Datasheet Pagina 5 HFA3102B96 Datasheet Pagina 6 HFA3102B96 Datasheet Pagina 7

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HFA3102B96 Specifiche

ProduttoreRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Tipo di transistor6 NPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione10GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
Guadagno12.4dB ~ 17.5dB
Potenza - Max250mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SOIC

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

4-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

4-TSFP

JANTX2N2857

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/343

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Guadagno

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-72-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-72

BFP450H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5V

Frequenza - Transizione

24GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1.8GHz

Guadagno

15.5dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 4V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT343-4

1214-220M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

70V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.4dB

Potenza - Max

700W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

1214-300M

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Frequenza - Transizione

1.2GHz ~ 1.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

88W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55ST

Pacchetto dispositivo fornitore

55ST

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