H11G45
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| Numero parte | H11G45 |
| PNEDA Part # | H11G45 |
| Descrizione | OPTOISO 4KV DARL W/BASE 6DIP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.388 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | dic 31 - gen 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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H11G45 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | H11G45 |
| Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica |
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H11G45 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Numero di canali | 1 |
| Tensione - Isolamento | 4000Vrms |
| Rapporto di trasferimento corrente (min) | 250% @ 1mA |
| Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
| Tempo di accensione / spegnimento (tipico) | 5µs, 150µs |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Tipo di ingresso | DC |
| Tipo di output | Darlington with Base |
| Tensione - Uscita (Max) | 55V |
| Corrente - Uscita / Canale | 100mA |
| Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | 11V |
| Corrente - DC diretta (If) (Max) | 60mA |
| Saturazione Vce (Max) | - |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 100°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Numero di canali 1 Tensione - Isolamento 3750Vrms Rapporto di trasferimento corrente (min) 50% @ 5mA Rapporto di trasferimento corrente (massimo) 600% @ 5mA Tempo di accensione / spegnimento (tipico) - Tempo di salita / discesa (tipico) 3µs, 3µs Tipo di ingresso DC Tipo di output Transistor Tensione - Uscita (Max) 80V Corrente - Uscita / Canale 80mA Tensione - Avanti (Vf) (Tip) 1.3V (Max) Corrente - DC diretta (If) (Max) 50mA Saturazione Vce (Max) 400mV Temperatura di esercizio -40°C ~ 110°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 4-SMD, Gull Wing Pacchetto dispositivo fornitore 4-SMD |
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