H11G2M_F132
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| Numero parte | H11G2M_F132 |
| PNEDA Part # | H11G2M_F132 |
| Descrizione | OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.444 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 12 - apr 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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H11G2M_F132 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | H11G2M_F132 |
| Categoria | Semiconduttori › Isolatori › Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica |
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H11G2M_F132 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Numero di canali | 1 |
| Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
| Rapporto di trasferimento corrente (min) | 1000% @ 10mA |
| Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
| Tempo di accensione / spegnimento (tipico) | 5µs, 100µs |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | - |
| Tipo di ingresso | DC |
| Tipo di output | Darlington with Base |
| Tensione - Uscita (Max) | 80V |
| Corrente - Uscita / Canale | - |
| Tensione - Avanti (Vf) (Tip) | 1.3V |
| Corrente - DC diretta (If) (Max) | 60mA |
| Saturazione Vce (Max) | 1V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-DIP |
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