GSID200A170S3B1
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| Numero parte | GSID200A170S3B1 |
| PNEDA Part # | GSID200A170S3B1 |
| Descrizione | SILICON IGBT MODULES |
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.070 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 16 - apr 21 (Scegli Spedizione rapida) |
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GSID200A170S3B1 Risorse
| Brand | Global Power Technologies Group |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GSID200A170S3B1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - IGBT - Moduli |
| Datasheet |
GSID200A170S3B1, GSID200A170S3B1 Datasheet
(Totale pagine: 8, Dimensioni: 359 KB)
  
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GSID200A170S3B1 Specifiche
| Produttore | Global Power Technologies Group |
| Serie | Amp+™ |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | 2 Independent |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 1200V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 400A |
| Potenza - Max | 1630W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 200A |
| Corrente - Taglio collettore (Max) | 1mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 26nF @ 25V |
| Input | Standard |
| Termistore NTC | No |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | D-3 Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D3 |
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