GSIB620N-M3/45
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| Numero parte | GSIB620N-M3/45 |
| PNEDA Part # | GSIB620N-M3-45 |
| Descrizione | BRIDGE RECT 1P 200V 6A GSIB-5S |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.078 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | nov 8 - nov 13 (Scegli Spedizione rapida) |
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GSIB620N-M3/45 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | GSIB620N-M3/45 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
GSIB620N-M3/45, GSIB620N-M3/45 Datasheet
(Totale pagine: 4, Dimensioni: 83,19 KB)
  
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GSIB620N-M3/45 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 200V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 6A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 4-SIP, GSIB-5S |
| Pacchetto dispositivo fornitore | GSIB-5S |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo - Tecnologia - Tensione - Picco inverso (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 1kV Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 5A Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, BU Pacchetto dispositivo fornitore isoCINK+™ BU |
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